本網(wǎng)訊 3月15日，湖南省市場監(jiān)督管理局就2023年度湖南專利獎(jiǎng)評審結(jié)果進(jìn)行公示。華磊光電公司何鵬、徐平發(fā)明的專利“一種透明導(dǎo)電膜、其制備方法及含此透明導(dǎo)電膜的LED芯片”作為三等獎(jiǎng)名列其中。這是該公司自2013年以來，第十次獲得湖南省專利獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)。

該項(xiàng)發(fā)明專利，創(chuàng)造性地將透明導(dǎo)電膜制作工藝、鋁膜制作工藝以及退火工藝相結(jié)合，獲得高質(zhì)量的透明導(dǎo)電膜，解決LED芯片量產(chǎn)亮度提升關(guān)鍵技術(shù)問題，明顯提高LED的光電性能。通過使鋁膜球聚形成具有納米量級的微孔結(jié)構(gòu)，利用納米孔對光的增強(qiáng)作用和表面等離子體效應(yīng)有效提升LED的發(fā)光效率。本透明導(dǎo)電膜制備方法技術(shù)是高光效照明芯片、電視/手機(jī)背光芯片、mini-LED芯片等高端產(chǎn)品的基礎(chǔ)工藝。

自2020年以來，該工藝技術(shù)成為華磊LED芯片制造的核心工藝，芯片結(jié)構(gòu)精簡且便于制作，制造成本低，易于大規(guī)?；a(chǎn)，對LED芯片在照明領(lǐng)域以及背光顯示應(yīng)用領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用起到至關(guān)重要的推動(dòng)作用。

該項(xiàng)專利技術(shù)突破了LED芯片量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，符合第三代半導(dǎo)體需求，對于填補(bǔ)湖南省內(nèi)氮化鎵基LED芯片技術(shù)空白，補(bǔ)強(qiáng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，推進(jìn)我省“三高四新”戰(zhàn)略以及我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。