國家科技部社會發(fā)展科技司司長吳遠彬一行蒞臨華磊光電公司調(diào)研
- 發(fā)布時間：2018-12-29
- 發(fā)布者： admin
- 來源： 本站
- 閱讀量：1054
本網(wǎng)訊 2月27日，華磊光電公司博士后工作站中期匯報會在公司大會議室舉行，我公司與中國科學(xué)院半導(dǎo)體所聯(lián)合培養(yǎng)的博士后梁萌，對“非晶襯底上石墨烯基GaN LED”項目進展進行了匯報。
中國科學(xué)院半導(dǎo)體所原所長、中國科學(xué)院半導(dǎo)體所照明研發(fā)中心主任李晉閩，副主任伊?xí)匝?，中國科學(xué)院半導(dǎo)體所照明研發(fā)中心原總工程師王良臣，特邀嘉賓中南大學(xué)教授汪煉成，公司董事長、黨委書記黃奐果，董事、總經(jīng)理、黨委副書記許亞兵等出席會議。
據(jù)了解，該項目的研究目標為“提供氮化物大失配體系和高缺陷密度外延生長的顛覆性解決方案，實現(xiàn)不依賴襯底的高質(zhì)量氮化物外延生長技術(shù)，推動新一代半導(dǎo)體材料發(fā)展”。目前該項目取得了階段性成果：一是在非晶襯底上實現(xiàn)了高質(zhì)量的納米柱生長；二是在非晶襯底上實現(xiàn)了氮化物薄膜生長；三是非晶襯底上實現(xiàn)了氮化物LED，變溫PL顯示量子阱發(fā)光峰位于474nm處，且發(fā)光效率較高，IQE為48.7%，是目前國際文獻報道的最好水平。
會上，專家評審組成員李晉閩、王良臣、伊?xí)匝唷⑼魺挸傻仁紫葘α好妊芯空n題內(nèi)容進行了提問，對后續(xù)的研究方向給出了建議。并就雙方進一步的合作，特別是在國家“十三五”重點研發(fā)計劃項目以及“十四五”項目前期準備工作等政府科技項目合作，與我公司進行了深入交流。
